SK하이닉스/기술

상위 문서: SK하이닉스

1. 개요2. DRAM

2.1. 제조 공정

2.1.1. 44나노2.1.2. 35나노2.1.3. 2x(29나노)2.1.4. 2y(25나노)2.1.5. 2z(21나노)2.1.6. 1x2.1.7. 1y2.1.8. 1z2.1.9. 1a(14나노)2.1.10. 1b(12나노)2.1.11. 1c(11나노)2.1.12. 1d(10나노)

2.2. 제품

2.2.1. DDR3 SDRAM2.2.2. DDR4 SDRAM2.2.3. DDR5 SDRAM2.2.4. LPDDR4 SDRAM2.2.5. LPDDR5 SDRAM2.2.6. HBM

3. 플래시 메모리

3.1. 평면 제조 공정

3.1.1. 60나노3.1.2. 57나노3.1.3. 48나노3.1.4. 41나노3.1.5. 32나노3.1.6. 26나노3.1.7. 20나노3.1.8. 16나노

3.2. 적층 제조 공정

3.2.1. 24단3.2.2. 36단3.2.3. 48단3.2.4. 72단3.2.5. 96단3.2.6. 128단3.2.7. 176단3.2.8. 238단3.2.9. 321단

1. 개요

SK하이닉스의 반도체 기술에 대해 다루는 문서이다.

2. DRAM

2.1. 제조 공정

2.1.1. 44나노

2.1.2. 35나노

2011년에 양산을 시작했다. 44나노 공정과 동일한 워드라인 피치(88nm)를 사용하여 기술상으로는 44나노급이나, 6F² 구조를 도입하여 셀 면적을 줄이고 생산성을 60% 이상 높였다. 여담으로 뉴스 기사에 따라 35나노 또는 38나노로 명칭이 다른데, 하이닉스 공식 블로그에 따르면 35나노 쪽이 공식 명칭으로 보인다. (38나노는 8F² 적용 기준의 수치로, 초기 명칭으로 추정)

2.1.3. 2x(29나노)

코드명은 '휴마'(Huma)이다.

2.1.4. 2y(25나노)

코드명은 '폴라리스'이다.

2.1.5. 2z(21나노)

코드명은 '데네브'이다.

2.1.6. 1x

코드명은 '아리우스'(Alius)이다.

2.1.7. 1y

코드명은 '다빈치'이다.

2.1.8. 1z

코드명은 '리젤'이다.

2.1.9. 1a(14나노)

일부 레이어에 EUV가 도입되었다. 코드명은 '캐노퍼스'이다.

2.1.10. 1b(12나노)

코드명은 '루시'이다. (BPM 37093 백색왜성)

2.1.11. 1c(11나노)

1b D램 기반으로 개발되었다. 코드명은 '스피카'이다. 2025년 초 양산 예정이다.

2.1.12. 1d(10나노)

1z 공정 대비 셀의 정전 용량이 절반으로 줄어듦에 따라 미세화의 난이도가 크게 올라갈 것으로 예상된다.

2.2. 제품

2.2.1. DDR3 SDRAM

2.2.2. DDR4 SDRAM

2.2.3. DDR5 SDRAM

용량 \\ 공정	1y nm	1z nm	1a nm	1b nm	1c nm
16 Gb	M-die		A-die	B-die
24 Gb			M-die
32 Gb

2.2.4. LPDDR4 SDRAM

2.2.5. LPDDR5 SDRAM

2.2.6. HBM

3. 플래시 메모리

3.1. 평면 제조 공정

3.1.1. 60나노

코드명은 '한라'이다.

3.1.2. 57나노

코드명은 '백두'이다.

3.1.3. 48나노

코드명은 '금강'이다.

3.1.4. 41나노

코드명은 '마칼루'이다.

3.1.5. 32나노

코드명은 '칸첸'이다.

3.1.6. 26나노

코드명은 'K2'이다.

3.1.7. 20나노

코드명은 '에베레스트'이다.

3.1.8. 16나노

코드명은 '퀘이사'이다.

3.2. 적층 제조 공정

3.2.1. 24단

코드명은 '아폴로'이다.

3.2.2. 36단

2016년에 양산을 시작했다. 코드명은 '포세이돈'이다.

3.2.3. 48단

코드명은 '제우스'이다.

3.2.4. 72단

2017년에 양산을 시작했다. 코드명은 '헤라클레스'이다.

3.2.5. 96단

2019년 초에 양산을 시작했다. CTF 방식으로는 최초로 PUC(Peri Under Cell) 구조를 도입하였다. 코드명은 '파르테논'이다.

3.2.6. 128단

2019년에 양산을 시작했다.

3.2.7. 176단

2022년에 양산을 시작했다.

3.2.8. 238단

2023년에 양산을 시작했다.

3.2.9. 321단

2025년 양산 예정이다.

SK하이닉스/기술

1. 개요

2. DRAM

2.1. 제조 공정

2.1.1. 44나노

2.1.2. 35나노

2.1.3. 2x(29나노)

2.1.4. 2y(25나노)

2.1.5. 2z(21나노)

2.1.6. 1x

2.1.7. 1y

2.1.8. 1z

2.1.9. 1a(14나노)

2.1.10. 1b(12나노)

2.1.11. 1c(11나노)

2.1.12. 1d(10나노)

2.2. 제품

2.2.1. DDR3 SDRAM

2.2.2. DDR4 SDRAM

2.2.3. DDR5 SDRAM

2.2.4. LPDDR4 SDRAM

2.2.5. LPDDR5 SDRAM

2.2.6. HBM

3. 플래시 메모리

3.1. 평면 제조 공정

3.1.1. 60나노

3.1.2. 57나노

3.1.3. 48나노

3.1.4. 41나노

3.1.5. 32나노

3.1.6. 26나노

3.1.7. 20나노

3.1.8. 16나노

3.2. 적층 제조 공정

3.2.1. 24단

3.2.2. 36단

3.2.3. 48단

3.2.4. 72단

3.2.5. 96단

3.2.6. 128단

3.2.7. 176단

3.2.8. 238단

3.2.9. 321단

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