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长鑫存储[1]
ChangXin Memory Technologies |
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| <colbgcolor=blue><colcolor=white> 산업 | 반도체 |
| 기업명 |
창신 메모리 (ChangXin Memory Technologies) |
| 국가 |
[[중국|]][[틀:국기|]][[틀:국기|]] |
| 설립 | 2016년 5월 |
| 본사 | 중국 안후이성 허페이시 |
| 고용 인원 | 약 3,000명(2019년) |
| 링크 |
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1. 개요
중국 최대의 DRAM 제조 반도체 기업이다.2. 상세
2016년에 CICF의 지원을 받아 Innotron[2]이라는 이름으로 설립되었으며, 모회사는 중국 정부의 지원을 받는 회사인 루이리지청(睿力集成)이다.설립 이후 중국 최초로 DRAM 양산에 성공하면서 2020년부터 LPDDR4와 DDR4를 생산하며 시장에 본격적으로 진출하였다. 2022년 기준으로 업계에서 3% 수준의 점유율을 기록하고 있다.
그러나 중국이 자국 내 스마트폰 등의 완제품 생산 시 중국산 메모리를 사용하면 메모리 금액의 15%의 보조금을 주는 정책을 통해서 중국 내 메모리 소비의 12%[3] 에 해당하는 점유율을 가져가는 등, 급격히 성장하고 있으며 2024년 말 기준으로 전체 D램 시장의 11% 가량 점유할 것으로 예측된다.
추가 자금 유치를 위해 2023년 연내로 상하이 증권거래소에 145억 달러 규모로 상장할 예정이라고 한다.
HBM 메모리를 개발에 성공, 고객사에 샘플을 제공했다고 한다.
3. 생산 시설
- 300mm 웨이퍼 (1곳)
- 허페이 Fab 1 : (2019~ / 19nm / 월 4만 장)
- 건설 중인 공장 (1곳)
- 허페이 Fab 2 : (~2023 / 17nm / 월 12만 장)